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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080028870.3
  • IPC分类号:H01L27/32;G06F3/041
  • 申请日期:
    2020-08-20
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN202080028870.3申请日期2020-08-20
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-26公开/公告号CN113711363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;G;0;6;F;3;/;0;4;1查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人高桥圭;楠纮慈;木村肇
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人宋俊寅
摘要
为了实现多功能,构件数量增多并且需要花费工夫分别安装这些构件,从而导致制造成本上升、成品率下降。在同一衬底上制造矩阵型的显示部和矩阵型的光传感器部。再者,通过在一个芯片上制造在同一衬底上所制造的显示部和光传感器部的驱动电路来实现减少构件数量。通过在显示面板中制造光传感器,可以使显示面板具有扫码器功能或扫描仪功能。另外,也可以使显示面板具有指纹等的识别功能或作为触摸传感器的输入输出功能。

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