热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480003463.1
IPC分类号：H01S5/02;G11B5/02;G11B5/31
申请日期：
2014-09-02
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法
申请号	CN201480003463.1	申请日期	2014-09-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-19	公开/公告号	CN104854765A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;;;G;1;1;B;5;/;0;2;;;G;1;1;B;5;/;3;1查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	川上俊之;有吉章
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	吴秋明

摘要

具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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