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热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480003463.1
  • IPC分类号:H01S5/02;G11B5/02;G11B5/31
  • 申请日期:
    2014-09-02
  • 申请人:
    夏普株式会社
著录项信息
专利名称热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法
申请号CN201480003463.1申请日期2014-09-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-19公开/公告号CN104854765A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01S5/02IPC分类号H;0;1;S;5;/;0;2;;;G;1;1;B;5;/;0;2;;;G;1;1;B;5;/;3;1查看分类表>
申请人夏普株式会社申请人地址
日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人夏普株式会社当前权利人夏普株式会社
发明人川上俊之;有吉章
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人吴秋明
摘要
具备:基板(41),其由半导体构成;发光部(52),其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42),并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46);环状的保护壁(53),其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成,并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51);第1电极(47),其配置在凹部(51)的底面上;和第2电极(48),其配置在发光部的上表面。

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