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Flash存储芯片总线信号分析工具

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810121736.9
  • IPC分类号:G11C29/00;G11C29/56
  • 申请日期:
    2008-10-27
  • 申请人:
    矽谷晶量半导体(杭州)有限公司
著录项信息
专利名称Flash存储芯片总线信号分析工具
申请号CN200810121736.9申请日期2008-10-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-03-11公开/公告号CN101383191
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C29/00IPC分类号G;1;1;C;2;9;/;0;0;;;G;1;1;C;2;9;/;5;6查看分类表>
申请人矽谷晶量半导体(杭州)有限公司申请人地址
浙江省杭州市西湖区万塘路317号华星世纪大楼201室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人矽谷晶量半导体(杭州)有限公司当前权利人矽谷晶量半导体(杭州)有限公司
发明人骆建军;陶航;陈丽娜
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人周烽
摘要
本发明公开了一种Flash存储芯片总线信号分析工具,其特征在于,它主要由Flash总线信号采样单元、Flash总线信号分析单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成。所述Flash总线信号采样单元、Flash总线信号显示单元、Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号分析单元相连。所述Flash总线信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与Flash总线信号显示单元相连。本发明相比使用传统测试工具,在分析Flash存储芯片总线信号方面,有了很大的进步和显著的优点。搭建分析环境十分简便,操作简单、方便,存储深度大。

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