基于电极光栅的双波长可调谐半导体激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010139463.1
IPC分类号：H01S5/042;H01S5/062
申请日期：
2020-03-03
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于电极光栅的双波长可调谐半导体激光器
申请号	CN202010139463.1	申请日期	2020-03-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-23	公开/公告号	CN111326950A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;0;6;2查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	许博蕊;孙甲政;夏施君;孙文惠;包帅;袁海庆;祝宁华;朱厦;徐长达;王丹丹;齐艺超
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

一种双波长可调谐半导体激光器，自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层，其中，包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为Y分支波导结构，所述激光器的光栅结构为电极光栅。本发明利用Y分支波导结构在出光面同一位置实现双波长输出。本发明的电极光栅结构包括高阶均匀光栅结构、高阶取样光栅结构、啁啾重构光栅结构，降低了工艺制造过程中的精度要求，易于制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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