键合半导体器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110523257.5
IPC分类号：H01L21/60H01L23/485H01L25/18
申请日期：
2021-05-13
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	键合半导体器件及其制备方法
申请号	CN202110523257.5	申请日期	2021-05-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113380648A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H01L21/60;H01L23/485;H01L25/18查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	孙祥烈;许静;罗军;赵超
代理机构	北京华沛德权律师事务所	代理人	房德权

摘要

本发明公开了一种键合半导体器件及其制备方法，键合半导体器件的制备方法包括：提供介质层，介质层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，于介质层的第一表面形成凹槽；于凹槽的底部和侧壁形成第一金属层；于凹槽内填充第二金属层，以形成第一待键合晶圆；第一待键合晶圆以介质层的第一表面为键合面键合到第二待键合晶圆上，以形成键合半导体器件。解决了现有技术中键合界面没有生长在一起，键合界面有较多缺陷的技术问题，提高了器件的可靠性和稳定性。

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