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共晶芯片组件的烧结方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711076799.2
  • IPC分类号:H01L21/52;H01L21/324
  • 申请日期:
    2017-11-06
  • 申请人:
    安徽华东光电技术研究所
著录项信息
专利名称共晶芯片组件的烧结方法
申请号CN201711076799.2申请日期2017-11-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-02-23公开/公告号CN107731695A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/52IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人安徽华东光电技术研究所申请人地址
安徽省芜湖市高新技术产业开发区峨山路01 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽华东光电技术研究所有限公司当前权利人安徽华东光电技术研究所有限公司
发明人汪宁;费文军;陈兴盛;李金晶;孟庆贤;聂庆燕;汪伦源;张丽
代理机构北京润平知识产权代理有限公司代理人邹飞艳;张苗
摘要
本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法,所述烧结方法包括:初步安装:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊料片放置在腔体内,在每个焊料片表面涂覆助焊剂,将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件;烧结处理:将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理;解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长,合金焊料易氧化,最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

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