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基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200580003365.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-01-28
  • 申请人:
    昭和电工株式会社
著录项信息
专利名称基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
申请号CN200580003365.9申请日期2005-01-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-02-14公开/公告号CN1914743
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人昭和电工株式会社申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人丰田合成株式会社当前权利人丰田合成株式会社
发明人三木久幸;樱井哲朗;武田仁志
代理机构北京市中咨律师事务所代理人杨晓光;于静
摘要
本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构,用于制造氮化镓化合物半导体发光器件,所述器件在低电压下工作,同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层,所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间,并且所述有源层包括厚部分和薄部分,其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面,以形成所述厚部分和所述薄部分。

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