一种LED芯片的PN台阶、LED芯片以及LED芯片的PN台阶的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310408183.6
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/00
申请日期：
2013-09-09
申请人：
聚灿光电科技（苏州）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种LED芯片的PN台阶、LED芯片以及LED芯片的PN台阶的制作方法
申请号	CN201310408183.6	申请日期	2013-09-09
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-27	公开/公告号	CN103413875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	聚灿光电科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司	当前权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司
发明人	魏天使;李忠武;何金霞
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨林洁

摘要

本发明公开了一种LED芯片的PN台阶、LED芯片以及制作方法，所述LED芯片包括衬底和成形在所述衬底上的外延层，所述外延层具有PN台阶，所述PN台阶上覆盖有绝缘钝化膜，所述PN台阶的上台阶面为P型导电层，其下台阶面为N型导电层，所述上台阶面与所述下台阶面之间连接形成PN台阶侧面；其中，所述PN台阶侧面包括位于所述上台阶面的第一连接边和位于所述下台阶面的第二连接边，所述第二连接边位于所述第一连接边与所述下台阶面端部之间，且所述PN台阶侧面为曲面或斜面；本发明利于绝缘钝化膜在LED芯片上的覆盖效果，有效提高了LED芯片的开启电压，减少漏电流，同时还有效提高LED芯片的出光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供