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NOR闪存及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811630391.X
  • IPC分类号:H01L27/11517;H01L27/11521
  • 申请日期:
    2018-12-29
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称NOR闪存及其制造方法
申请号CN201811630391.X申请日期2018-12-29
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-05-07公开/公告号CN109727983A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11517
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明公开了一种NOR闪存,NOR闪存的存储区的闪存单元阵列中,各所述有源区呈条形结构并平行排列;同一行的各闪存单元的多晶硅控制栅的多晶硅连接在一起并形成多晶硅行;多晶硅浮栅位于和多晶硅行垂直相交的有源区的顶部并通过第一栅氧化层隔离;漏区由延伸到有源区侧面的自对准共形注入区组成,自对准共形注入区的位置由自对准回刻的场氧定义,场氧的自对准回刻区域由栅极结构刻蚀后通过栅极结构和有源区自对准定义形成,源区中也叠加有自对准共形注入区。本发明还公开了一种NOR闪存的制造方法。本发明能在不对栅极结构进行改动的条件下提高编程效率,同时还能减少漏电,提高器件的性能。

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