利用电子束熔炼制造高纯度多晶硅的装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210158961.6
IPC分类号：C01B33/037
申请日期：
2012-05-21
申请人：
韩国能量技术研究院

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著录项信息

专利名称	利用电子束熔炼制造高纯度多晶硅的装置及方法
申请号	CN201210158961.6	申请日期	2012-05-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-04	公开/公告号	CN103420376A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	韩国能量技术研究院	申请人地址	韩国大田广域市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩国能量技术研究院	当前权利人	韩国能量技术研究院
发明人	张普允;李镇石;金儁秀;安永洙
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	张晶;王莹

摘要

本公开提供用于制造高纯度多晶硅的装置和方法。所述装置包括：保持真空气氛的真空室；第一电子枪和第二电子枪，布置在真空室的上端，以将电子束照射到真空室中；硅熔炼单元，该硅熔炼单元放置在与第一电子枪对应的第一电子束照射区域，粉末状原料硅被供给到硅熔炼单元并且被第一电子束熔化；以及单向凝固单元，被放置在与第二电子枪对应的第二电子束照射区域，并且经由浇道与硅熔炼单元连接。所述单向凝固单元的下部形成有冷却通道，并且在内部设置有沿向下方向驱动的起熔块，使得从硅熔炼单元供给的熔融硅在通过所述第二电子束而保持熔融状态的同时，被所述起熔块沿向部方向传送，之后通过所述冷却通道沿从所述熔融硅的下部到上部的方向凝固。

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