具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201610325231.9
IPC分类号：H01L45/00;C01B33/113;C01B33/02
申请日期：
2016-05-17
申请人：
浙江师范大学

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著录项信息

专利名称	具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件
申请号	CN201610325231.9	申请日期	2016-05-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-07	公开/公告号	CN105932154A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;C;0;1;B;3;3;/;1;1;3;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	浙江师范大学	申请人地址	浙江省金华市迎宾大道688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江师范大学	当前权利人	浙江师范大学
发明人	黄仕华;陈达
代理机构	杭州之江专利事务所（普通合伙）	代理人	朱枫

摘要

本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Cu为材料。本发明选用了COMS工艺兼容的技术来制备动态随机存储器件，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备和退火设备。通过控制靶材二氧化硅和硅片的表面积比、生长时间、生长气压、电源功率、退火温度和时间等参数，达到人为控制纳米颗粒嵌入的氧化硅薄膜状态的目的，从而得到具有较低的转变电压和转变电流的器件。

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