一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810682130.6
IPC分类号：H01B13/00H01B5/14H05K9/00
申请日期：
2018-06-27
申请人：
宁波山功新材料科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法
申请号	CN201810682130.6	申请日期	2018-06-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-03	公开/公告号	CN110648801A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H01B13/00;H01B5/14;H05K9/00查看分类表>
申请人	宁波山功新材料科技有限公司	申请人地址	浙江省宁波市慈溪市古塘街道担山北路1*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波山功新材料科技有限公司	当前权利人	宁波山功新材料科技有限公司
发明人	高彦峰
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹芳玲;郑优丽

摘要

本发明涉及一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法，包括：在模具表面涂覆银纳米线溶液，干燥得到银纳米线薄膜；以及将由高分子溶液和固化剂混合得到的高分子溶液混合物涂覆到银纳米线薄膜表面，恒温条件下固化得到银纳米线@高分子基底的半嵌入式结构，与模具分离得到银纳米线电磁屏蔽膜。可以有效的防止外部环境对银纳米线导电网络的破坏，而且银纳米线网络之间连接更为紧密，具有更加优异的电导率和电磁屏蔽效率。

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