首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

等离子体蚀刻用硅电极板

发明专利无效专利

申请号：
CN201110415354.9
IPC分类号：H01J37/04;H01J37/32
申请日期：
2011-12-13
申请人：
三菱综合材料株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	等离子体蚀刻用硅电极板
申请号	CN201110415354.9	申请日期	2011-12-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102623285A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/02 零部件 H01J37/04 电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	三菱综合材料株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱综合材料株式会社	当前权利人	三菱综合材料株式会社
发明人	米久孝志;高畠康太
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	陈万青;王珍仙

摘要

本发明提供了一种等离子体蚀刻用硅电极板，其可抑制因等离子体蚀刻产生的表面凹凸且实现均匀的蚀刻。本发明的等离子体蚀刻用硅电极板由将B和Al作为掺杂剂添加的单晶硅构成，Al的浓度在1×1013atoms/cm3以上。该等离子体蚀刻用硅电极板中，单晶硅的电特性在面内均匀化，在等离子体蚀刻中表面消耗时能够使凹凸变得极少，并且能够抑制裂纹。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供