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一种X射线激发的掺杂稀土离子的钨酸盐闪烁发光材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610027523.0
  • IPC分类号:C09K11/78
  • 申请日期:
    2006-06-09
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称一种X射线激发的掺杂稀土离子的钨酸盐闪烁发光材料及其制备方法
申请号CN200610027523.0申请日期2006-06-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-11-08公开/公告号CN1858150
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/78IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;7;8查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市长宁区定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人张志军;赵景泰;段成军;袁军林;王小军;陈昊鸿;杨昕昕
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明涉及在X射线或其它高能射线激发下有大的光输出和慢衰减的闪烁发光材料及其制备方法,属于闪烁发光材料领域。所述的闪烁发光材料为三价稀土离子(Eu3+)激活的稀土钨酸盐,化学组成式为:RE2(1-x)Eu2xWO6,其中RE至少为Y、La、Gd、Lu中一种稀土离子,x为激活剂Eu3+的含量,含量为0.05<x<0.3。采用固相合成方法制备。在X射线激发下,发光强度约为无机闪烁体Lu2O3:Eu3+的1.14倍,发光为610nm左右的红色光,与CCD探测器的光谱敏感度匹配良好,可用于正电子发射层析摄影术(PET)、X射线计算机断层扫描(CT)以及X射线荧光增感屏等医学领域和其他高能射线探测的静态成像技术领域。

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