基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910020850.7
IPC分类号：G01N21/956
申请日期：
2009-01-08
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法
申请号	CN200910020850.7	申请日期	2009-01-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-08	公开/公告号	CN101477065
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/956 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/84 专用于特殊应用的系统〔3〕 G01N21/88 测试瑕疵、缺陷或污点的存在〔3〕 G01N21/95 特征在于待测物品的材料或形状（G01N 21/89至G01N 21/91，G01N 21/94优先）〔7〕 G01N21/956 检测物品表面上的图案〔7〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;9;5;6查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	刘红侠;周文;高博
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华;黎汉华

摘要

本发明公开了一种对集成电路缺陷进行分类的方法。其步骤为，首先计算缺陷的灰度值MA，并根据灰度值将缺陷分为多余物缺陷和丢失物；再次对没有缺陷的标准图像进行二值化处理；然后对多余物缺陷和丢失物缺陷同时进行3×3全1矩阵的膨胀运算，并利用标准图像二值化的结果，计算不同缺陷在陷膨胀运算后的边界值变化次数；最后根据缺陷的边界值变化次数对不同缺陷进行细分，即对于丢失物缺陷，当边界值变化次数小于等于2时，为互连线上的孔洞缺陷，否则为断路缺陷；对于多余物缺陷，当边界值变化次数大于2时，为短路缺陷，否则为背景中的多余物缺陷。本发明具有分类方法简单、速度快、正确率高，能够在集成电路和电路板产品的各个时期对缺陷分类。

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