半导体器件及其生产方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98117349.7
IPC分类号：--
申请日期：
1998-08-19
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其生产方法
申请号	CN98117349.7	申请日期	1998-08-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	1999-02-24	公开/公告号	CN1208967
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本电气株式会社	当前权利人	日本电气株式会社
发明人	冈本哲昌
代理机构	中科专利代理有限责任公司	代理人	刘晓峰

摘要

一种半导体器件的生产方法,其中,去除基极区上的部分氧化膜以形成开口,并通过干蚀直接在其上沉积多晶硅膜,多晶硅膜被分割为包含与基极具有相同导电型杂质的区域及包含与基极具有相反导电型杂质的区域。通过热处理,杂质从多晶硅膜扩散进基极区,形成外部基极扩散及发射极扩散层。接着,多晶硅膜表面形成为多边膜,其将作为发射极电极及基极电极,实现精细基极及发射极面积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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