动态温梯法生长大尺寸单晶的装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610102146.6
IPC分类号：C30B11/02;C30B29/12;C30B29/22
申请日期：
2016-02-24
申请人：
南京光宝光电科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	动态温梯法生长大尺寸单晶的装置及方法
申请号	CN201610102146.6	申请日期	2016-02-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-25	公开/公告号	CN105603506A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B11/02 不使用溶剂的（C30B 11/06）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	南京光宝光电科技有限公司	申请人地址	江苏省南京市栖霞区经济技术开发区恒达路3号A01-03室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京光宝光电科技有限公司	当前权利人	南京光宝光电科技有限公司
发明人	董永军;华伟;陈伟
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	殷红梅;涂三民

摘要

本发明公开了一种动态温梯法生长大尺寸单晶的装置及方法，动态温梯法生长大尺寸单晶的装置，在圆周保温屏的顶端部固定有顶部保温屏，在圆周保温屏的底端部固定有环状的底部保温屏，在底部保温屏内滑动密封安装有中心保温屏，在中心保温屏的底端部安装有中心保温屏升降动力，在单晶炉内固定有坩埚杆，在坩埚杆内固定有底部热电偶，在坩埚杆的顶端部固定有坩埚，在坩埚的外部固定有发热体，在顶部保温屏上固定有顶部热电偶。本发明的装置能生长完整性好、无气泡无包络、尺寸大且成品率高的单晶，而且本发明的装置具有结构简单、紧凑、使用方便等优点。本发明可动态精确控制晶体生长过程中的温度梯度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供