半导体元件图案化的工艺方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810091635.1
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/027
申请日期：
2008-04-11
申请人：
南亚科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体元件图案化的工艺方法
申请号	CN200810091635.1	申请日期	2008-04-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101556902
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	南亚科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南亚科技股份有限公司	当前权利人	南亚科技股份有限公司
发明人	徐维成;王雅志
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈晨;吴世华

摘要

本发明公开一种半导体元件图案化的工艺方法，包括步骤如下：提供一基底，依序形成一目标层以及一衬层于该基底上；图案化该衬层，该衬层形成多个矩形岛状结构单体；接着，形成一间隙壁材料层于所述多个矩形岛状结构单体和该目标层上；然后，除去部分间隙壁材料层，形成一间隙壁于各所述多个矩形岛状结构单体的侧壁；除去所述多个矩形岛状结构单体，并借该间隙壁当作硬掩模，进行蚀刻，以去除部分该目标层。利用本发明的方法可有效提高迭对精度，因此可缩小电子元件的面积，于晶片基板上制作出数量更多且面积更小的二维结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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