一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510531351.X
IPC分类号：G01N3/08;G01B7/16
申请日期：
2015-08-26
申请人：
中国特种设备检测研究院

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著录项信息

专利名称	一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法
申请号	CN201510531351.X	申请日期	2015-08-26
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-11-18	公开/公告号	CN105067439A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N3/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N3/00 用机械应力测试固体材料的强度特性 G01N3/08 施加稳定的张力或压力（G01N 3/28优先）	IPC分类号	G;0;1;N;3;/;0;8;;;G;0;1;B;7;/;1;6查看分类表>
申请人	中国特种设备检测研究院	申请人地址	北京市朝阳区和平街西苑2号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国特种设备检测研究院	当前权利人	中国特种设备检测研究院
发明人	宋明;徐彤
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	姜荣丽

摘要

本发明公开了一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法，该传感器为一种阵列型传感器，采用了高灵敏度的半导体各向异性薄膜材料，利用材料的压阻效应或压电电荷对界面电阻的调制效应实现应变传感。本发明摒弃了传统应变片的平面式电极布置结构，选用三维立体正交的顶底电极布置结构。从而实现了传感器单元的小型化、高灵敏化。利用半导体薄膜传感材料的电阻各向异性实现了传感单元对单一薄膜的共享，从而大大简化阵列器件结构设计及微加工工艺，提高阵列集成度。该器件结构显著提高了传感器的空间分辨率、应变灵敏度并实现场应变测量以适应裂纹尖端非均匀应变场测量的目的。

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