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半导体结构及返工方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410438895.7
  • IPC分类号:H01L21/027
  • 申请日期:
    2014-08-30
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及返工方法
申请号CN201410438895.7申请日期2014-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-30公开/公告号CN105448671A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人郑喆;张海洋
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人应战;骆苏华
摘要
一种半导体结构及返工方法,其中所述返工方法,包括:提供基底,所述基底上形成有含硅的有机底部抗反射涂层;在所述含硅的有机底部抗反射涂层上形成保护层;在所述保护层上形成第一光刻胶层,所述第一光刻胶层中存在缺陷;去除存在缺陷的第一光刻胶层,暴露出保护层的表面。保护层的存在,在去除存在缺陷的第一光刻胶层的过程中,可以防止外部的氧元素与含硅的有机底部抗反射涂层中硅元素形成氧化硅的结晶物或者产生其他的缺陷,因而,本发明在将存在缺陷的第一光刻胶层去除之后,含硅的有机底部抗反射涂层保存完好,无需额外的物理或化学步骤去除第一光刻胶层底部的含硅的有机底部抗反射涂层,从而节省了返工过程的工艺步骤,节约了制作成本。

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