互补金属氧化物半导体集成电路

发明专利无效专利

申请号：
CN98800117.9
IPC分类号：--
申请日期：
1998-02-26
申请人：
株式会社爱德万测试

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法律信息

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著录项信息

专利名称	互补金属氧化物半导体集成电路
申请号	CN98800117.9	申请日期	1998-02-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-05-05	公开/公告号	CN1216177
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社爱德万测试	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱德万测试	当前权利人	株式会社爱德万测试
发明人	冈安俊幸
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	马莹

摘要

一种CMOS结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门11，且只在信号的跃迁期间使电容器54充放电，其电流经电流密勒电路55、56放大后流过导通电路15。接收侧门31是低输入阻抗电流输入型门。该门31的结构为：将CMOS反相器35的输入输出端短路连接，其两个电源连接端分别通过p沟道MOSFET电流密勒电路37、39和n沟道MOSFET电流密勒电路38、41而连接在正和负的电源端子16及17上，两个电流密勒电路的输出侧连接在导电通路15上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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