考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310644163.9
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2013-12-05
申请人：
罗伯特·博世有限公司

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著录项信息

专利名称	考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置
申请号	CN201310644163.9	申请日期	2013-12-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103852706A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	罗伯特·博世有限公司	申请人地址	德国斯图加特变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗伯特·博世有限公司,索恩格汽车德国有限责任公司	当前权利人	罗伯特·博世有限公司,索恩格汽车德国有限责任公司
发明人	M.里希特;O.D.科勒
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杜荔南;胡莉莉

摘要

考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置。提出一种基于在功率半导体（201）的运行中测量的功率半导体（201）的损耗功率（Pv）以及损耗功率（Pv）与功率半导体（201）的取决于温度的阻抗（Zth）之间的关系来确定功率半导体（201）的阻挡层温度（Tj）的方法，其中基于在功率半导体（201）的运行中记录的升温曲线来确定取决于温度的阻抗（Zth）。本发明还包括用于实施这样的方法的装置。

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