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一种制备6N高纯硫的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010097473.3
  • IPC分类号:B01D7/00;B01D7/02;C01B17/027
  • 申请日期:
    2020-02-17
  • 申请人:
    峨嵋半导体材料研究所
著录项信息
专利名称一种制备6N高纯硫的方法
申请号CN202010097473.3申请日期2020-02-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-12公开/公告号CN111265906A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01D7/00IPC分类号B;0;1;D;7;/;0;0;;;B;0;1;D;7;/;0;2;;;C;0;1;B;1;7;/;0;2;7查看分类表>
申请人峨嵋半导体材料研究所申请人地址
四川省乐山市峨眉山市符北路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人峨嵋半导体材料研究所当前权利人峨嵋半导体材料研究所
发明人刘益军;张程;郑孝桃;雷聪;孙平
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司代理人吕玲
摘要
本发明属于高纯材料制备领域,具体为一种制备6N高纯硫的方法。该方法以98%‑98.5%的工业硫为原料,步骤为:1)将石英外管装入蒸馏炉炉膛内,接上冷却水;2)将原料硫装入石英料斗内后将料斗装入石英外管底部;3)将3个石英锥形管装入石英外管内后盖上真空压盖;4)开启真空系统和冷却水,开启加热,控制料斗温度、升温时间和埚底残留量;5)待停炉冷却至室温后,将上部锥形管冷凝的硫从上往下约100mm长作为尾料去除掉,得上部锥形管剩余和中部锥形管蒸馏产物—5N高纯硫;将5N高纯硫作为蒸馏原料重复上述1)至5),得6N高纯硫。该方法操作简单、成本较低,环境污染小,可制备出质量稳定的6N高纯硫,产出率可达88%以上。

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