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一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110409701.0
  • IPC分类号:C23C14/24;C23C14/16
  • 申请日期:
    2021-04-16
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置及方法
申请号CN202110409701.0申请日期2021-04-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113249688A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/24IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人李文欣;周元龙;何瑜鑫;赵鹏飞;聂谋智;龚友平;陈慧鹏;陈国金;刘海强;邵惠锋;陈昌
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人杨舟涛
摘要
本发明公开了一种适用于真空环境下的金属纳米材料蒸着装置和方法,包含上、下两个真空腔体,腔体之间设置有真空阀门;在上真空腔体内,主要设置有垂直操纵杆、高纯度金属棒、气体导入装置,气体导入装置通过针型阀连接丙醇,高纯度金属棒通过导线连接外部电源,垂直操纵杆上端通过限位器安装于上真空腔体上,限位器控制垂直操纵杆垂直移动并固定,垂直操纵杆下端开设有水平卡槽用于放置硅基底试样托;在下真空腔体内,主要设置有水平操纵杆、特制台架,特制台架底部为弹簧装置,特制台架上也开有水平卡槽用于放置目标基底试样托,水平操纵杆用于取放硅基底试样托以及目标基底试样托。该装置可使金属原子能以较低动能进行二次蒸着;设备成本、能耗较低。

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