非易失性存储器件及其操作和制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610171716.3
IPC分类号：H01L27/24;H01L21/822;G11C16/02;G11C16/10
申请日期：
2006-12-19
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器件及其操作和制造方法
申请号	CN200610171716.3	申请日期	2006-12-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-24	公开/公告号	CN101060129
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/24 包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴允童;李明宰;金东徹;安承彦
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种非易失性存储器件及其操作和制造方法提供了高集成度和高速度，同时允许低工作电流。所述非易失性存储器件包括半导体衬底。在所述半导体衬底的表面上形成电阻层，所述电阻层每者均存储可变电阻状态。在位于所述电阻层之下的所述半导体衬底上形成掩埋电极，并将其分别连接至所述电阻层。在所述半导体衬底的表面上形成沟道区，其使相邻的所述电阻层相互连接，但不连接下部电极。在所述半导体衬底的所述沟道区上形成栅极绝缘层。在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其在所述电阻层之上延伸。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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