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电路的温度曲线获取方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811545029.2
  • IPC分类号:G01R31/28;G06F17/10
  • 申请日期:
    2018-12-17
  • 申请人:
    矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
著录项信息
专利名称电路的温度曲线获取方法
申请号CN201811545029.2申请日期2018-12-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-10公开/公告号CN109738784A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/28IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;2;8;;;G;0;6;F;1;7;/;1;0查看分类表>
申请人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请人地址
浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司当前权利人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
发明人赖炯为
代理机构北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘锋;刘熔
摘要
公开了一种电路的温度曲线获取方法,本发明实施例通过测量常温和较高温度下两个温度点的带隙电压,根据温度曲线为经过坐标旋转的二次曲线的特点,通过两个温度点的带隙电压估算旋转角度,并进而估算第三个温度点的带隙电压,最后基于三个不同的温度点的带隙电压拟合获取电路的温度曲线。由此,可以不需要复杂的检测过程,就可以较为精确地获取电路实际温度曲线,提高了电路设计的效率。

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