应用于MOS场效应晶体管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法

发明专利无效专利

申请号：
CN03113462.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-05-15
申请人：
南京大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	应用于MOS场效应晶体管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法
申请号	CN03113462.9	申请日期	2003-05-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-22	公开/公告号	CN1450661
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	朱俊;刘治国
代理机构	南京苏高专利事务所	代理人	阙如生

摘要

本发明提供了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6%，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可能满足功耗要求不高的半导体中场效应晶体管的实际应用要求。

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