一种砷化镓晶片的抛光方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510791454.X
IPC分类号：B24B37/04;B24B37/10;C09G1/02
申请日期：
2015-11-17
申请人：
广东先导半导体材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种砷化镓晶片的抛光方法
申请号	CN201510791454.X	申请日期	2015-11-17
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-03-09	公开/公告号	CN105382676A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;3;7;/;1;0;;;C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人	广东先导半导体材料有限公司	申请人地址	广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东先导先进材料股份有限公司	当前权利人	广东先导先进材料股份有限公司
发明人	周铁军;刘锋;肖进龙;刘留
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	赵青朵

摘要

本发明属于砷化镓领域，尤其涉及一种砷化镓晶片的抛光方法。本发明提供的方法包括：依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。本发明提供的抛光方法将氧化性抛光液与还原性抛光液配合使用，减少了砷化镓晶片表面抛光液的残留，提高砷化镓晶片的成品率。实验结果表明，相比于单纯使用氧化性抛光液，采用本发明提供的抛光方法对砷化镓晶片进行抛光可以有效降低晶片表面的抛光液残留。

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