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一种砷化镓晶片的抛光方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510791454.X
  • IPC分类号:B24B37/04;B24B37/10;C09G1/02
  • 申请日期:
    2015-11-17
  • 申请人:
    广东先导半导体材料有限公司
著录项信息
专利名称一种砷化镓晶片的抛光方法
申请号CN201510791454.X申请日期2015-11-17
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2016-03-09公开/公告号CN105382676A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B24B37/04IPC分类号B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;3;7;/;1;0;;;C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人广东先导半导体材料有限公司申请人地址
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东先导先进材料股份有限公司当前权利人广东先导先进材料股份有限公司
发明人周铁军;刘锋;肖进龙;刘留
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人赵青朵
摘要
本发明属于砷化镓领域,尤其涉及一种砷化镓晶片的抛光方法。本发明提供的方法包括:依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光,得到抛光后砷化镓晶片。本发明提供的抛光方法将氧化性抛光液与还原性抛光液配合使用,减少了砷化镓晶片表面抛光液的残留,提高砷化镓晶片的成品率。实验结果表明,相比于单纯使用氧化性抛光液,采用本发明提供的抛光方法对砷化镓晶片进行抛光可以有效降低晶片表面的抛光液残留。

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