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一种新型的KDP类晶体的生长装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200420013227.1
IPC分类号：C30B29/14;C30B7/08
申请日期：
2004-12-28
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型的KDP类晶体的生长装置
申请号	CN200420013227.1	申请日期	2004-12-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/14 磷酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;4;;;C;3;0;B;7;/;0;8查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	潘建国;曾金波;林秀钦;魏兆敏;林羽;林敢
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种新型的KDP类晶体的生长装置，涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。本实用新型的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置，能很好地克服在晶体生长过程中杂晶的干扰，提高晶体生长的成功率，并能提高晶体的生长温度，从而有效地提高晶体的质量和产率。

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