深紫外发光元件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110661376.7
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00
申请日期：
2021-06-15
申请人：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司

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著录项信息

专利名称	深紫外发光元件及其制备方法
申请号	CN202110661376.7	申请日期	2021-06-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113394316A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司	申请人地址	福建省厦门市海沧区兰英路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司	当前权利人	厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
发明人	郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	刘畅

摘要

本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、多重缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述多重缓冲层包括第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层，且所述第二缓冲层包括生长温度呈梯度变化的至少两层结构，且所述第二缓冲层的生长温度为900℃～1200℃。本发明通过形成多重缓冲层结构，可有效释放合并层与衬底间的晶格失配应力和热应力，以减少深紫外发光元件的缺陷和位错密度，进而提升深紫外发光元件的发光效率至5％～10％。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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