气相沉积反应器系统及其方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510196727.6
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/54;C23C16/44;C23C16/458
申请日期：
2010-03-16
申请人：
奥塔装置公司

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著录项信息

专利名称	气相沉积反应器系统及其方法
申请号	CN201510196727.6	申请日期	2010-03-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-07	公开/公告号	CN104962879A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人	奥塔装置公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥塔装置公司	当前权利人	奥塔装置公司
发明人	何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司	代理人	高瑜;郑霞

摘要

本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。

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