有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810023235.7
IPC分类号：C23C14/26;C23C14/54;G05D5/03
申请日期：
2008-04-03
申请人：
南京邮电大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法
申请号	CN200810023235.7	申请日期	2008-04-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-05	公开/公告号	CN101298658
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/26 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/26 电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;G;0;5;D;5;/;0;3查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	无锡新区菱湖大道97号兴业楼B四楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡方圆环球显示技术股份有限公司	当前权利人	无锡方圆环球显示技术股份有限公司
发明人	唐超;黄维;夏斯杰;邓先宇;徐慧
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	叶连生

摘要

有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法涉及有机薄膜系统的自动交替控制，该装置包括：单片机与键盘电路(1)、膜厚测量模块(2)、模数转换单元(3)、电磁阀(4)、固体继电器(5)、等效可变电阻电路(6)，整个控制系统主要分为四个功能模块：人机交互、膜厚控制、强弱电转换、样品蒸镀处理。本发明的控制系统实现了镀膜的自动交替控制，并且能够避免有机半导体材料在真空腔内的污染，同时控制系统简便，制造成本低廉。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供