一种物理不可克隆函数电路及其操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110267847.6
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/24;G11C29/00
申请日期：
2021-03-12
申请人：
华中科技大学

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专利名称	一种物理不可克隆函数电路及其操作方法
申请号	CN202110267847.6	申请日期	2021-03-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113096709A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;1;1;C;2;9;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	王兴晟;郭凯;宋玉洁;阳帆;缪向水
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种物理不可克隆函数电路及其操作方法，属于电路设计领域，包括控制模块、忆阻器阵列和比较放大电路；其中，控制模块用于基于外部输入的激励信号选中忆阻器阵列中第i行、第j列的忆阻器单元和第i行、第j+1列的忆阻器单元；将忆阻器阵列的第i行导通，并在忆阻器阵列的第j列上施加高电平信号，忆阻器阵列的第j+1列上施加低电平信号，其余各列上均处于悬空状态，以使所选中的忆阻器单元构成串联电路进行分压操作，忆阻器阵列第i行所在的源线输出即为串联电路中间分压点处的分压信号；比较放大电路用于比较分压信号与参考电压的大小，得到响应信号；本发明不会受到串扰电流的影响，响应结果的准确度较高，大大降低了误码率。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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