一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410179466.2
IPC分类号：H01S5/343;H01S5/10
申请日期：
2014-04-30
申请人：
南京邮电大学

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专利名称	一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法
申请号	CN201410179466.2	申请日期	2014-04-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-27	公开/公告号	CN104009393A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;S;5;/;1;0查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	江苏省南京市文苑路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京邮电大学	当前权利人	南京邮电大学
发明人	朱刚毅;王永进;李欣;施政
代理机构	江苏爱信律师事务所	代理人	刘琦

摘要

本发明公开了一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法。该方法首先利用在硅基p型氮化镓/量子阱/n型氮化镓材料，利用电子束刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺制备由单根悬臂梁支撑的非对称氮化镓悬空薄膜微腔，在晶片正面蒸镀上Au/Ni电极，在n型氮化镓表面蒸镀Au/Ti，采用超声波键合技术，在电极表面键合引线，最终制备完整的器件。对制备的器件施加合适的电流，获得单方向性发射的回音壁模紫外激光。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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