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一种芯片封装测试结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320456561.3
  • IPC分类号:H01L21/66;H01L23/31
  • 申请日期:
    2013-07-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种芯片封装测试结构
申请号CN201320456561.3申请日期2013-07-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本实用新型提供一种芯片封装测试结构,所述测试结构至少包括:至少一个堆叠测试结构,每个堆叠测试结构包括:堆叠的金属层,包括至少两层金属层,每层金属层间通过通孔电连接;覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫,所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接;环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层,所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充;各所述边缘金属层彼此间绝缘。本实用新型提供的测试结构可以更加灵敏地测试出芯片介质层中的裂缝,并且该测试结构还可以测试通孔与通孔之间、金属层和金属层之间的漏电。

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