一种抑制浮体效应的新型SOI器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821728293.5
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
申请日期：
2018-10-24
申请人：
中证博芯（重庆）半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种抑制浮体效应的新型SOI器件
申请号	CN201821728293.5	申请日期	2018-10-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中证博芯（重庆）半导体有限公司	申请人地址	重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中合博芯（重庆）半导体有限公司	当前权利人	中合博芯（重庆）半导体有限公司
发明人	黄瑞;周广正;代京京
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	穆祥维

摘要

本实用新型提供一种抑制浮体效应的新型SOI器件，包括从下往上依次层叠由底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜组成的SOI衬底，顶层硅膜两侧形成有浅槽隔离层，顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，顶层硅膜上表面依次设有栅极氧化物和栅电极并以此组成Y型分布栅极，栅极正下方顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，栅极两侧源漏区掺杂形成有源漏区超浅结，栅极周围形成有栅极侧墙，源漏区超浅结下方离子注入形成有源漏区晕环区，源栅漏区表面形成有硅化物，源漏极硅化物表面形成有源漏电极。本申请通过向顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，有效减轻PDSOI器件中浮体效应，且Y型栅可以减少占用芯片面积，增加栅极接触面积。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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