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高压LED芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721851693.0
  • IPC分类号:H01L33/20;H01L33/62
  • 申请日期:
    2017-12-26
  • 申请人:
    大连德豪光电科技有限公司
著录项信息
专利名称高压LED芯片
申请号CN201721851693.0申请日期2017-12-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/20IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人大连德豪光电科技有限公司申请人地址
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连德豪光电科技有限公司当前权利人大连德豪光电科技有限公司
发明人王思博;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人景怀宇;李双皓
摘要
本实用新型提供一种高压LED芯片,所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底,所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置,所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面,所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30‑55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层电绝缘。

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