一种提高钨合金球饱和磁化强度的结构及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610655800.6
IPC分类号：H01F41/02
申请日期：
2016-08-11
申请人：
天瑞联创（北京）科技发展有限公司

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著录项信息

专利名称	一种提高钨合金球饱和磁化强度的结构及方法
申请号	CN201610655800.6	申请日期	2016-08-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158341A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人	天瑞联创（北京）科技发展有限公司	申请人地址	北京市海淀区后屯南路26号3层3-70 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天瑞联创（北京）科技发展有限公司	当前权利人	天瑞联创（北京）科技发展有限公司
发明人	何斌
代理机构	北京五月天专利商标代理有限公司	代理人	王天桂

摘要

本发明公开了一种提高钨合金球饱和磁化强度的结构和方法，采用由合金中含有的磁性成分为主或制成球芯，或用其包裹所述钨合金球中部分任意成分形成的任意形状的内芯制成复合球芯，其余的钨合金包裹于球芯或复合球芯外侧，形成带有高饱和磁化强度的复合圆球。该结构或者方法在保证钨合金球各合金成分质量比不变的前提下，将钨合金球的饱和磁化强度较以往提高了5倍以上，同时，由于各层连接处形成了部分共熔体，保证了钨合金球球体的高密度、高强度、大导热系数、高吸收射线能力等性能。

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