一种半导体制冷芯片组件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020137652.7
IPC分类号：H01L35/28;H01L35/04
申请日期：
2010-03-19
申请人：
曹爱国

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著录项信息

专利名称	一种半导体制冷芯片组件
申请号	CN201020137652.7	申请日期	2010-03-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/28 只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;2;8;;;H;0;1;L;3;5;/;0;4查看分类表>
申请人	曹爱国	申请人地址	广东省深圳市福田区侨香路新天国际名苑B2-1001 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	曹爱国	当前权利人	曹爱国
发明人	曹爱国
代理机构	深圳市港湾知识产权代理有限公司	代理人	冯达猷

摘要

本实用新型一种半导体制冷芯片组件，包括：半导体热电元件、第一导流板、第二导流板组成，第一、第二导流板与半导体热电元件连接固定，第一、第二导流板彼此相互绝缘错位成对布置，半导体热电元件为：分别连接在第一导流片的二端成对布置的P型半导体热电元件和N型半导体热电元件，第二导流板的一端与第一导流板上的一端的同类型半导体热电元件连接，第二导流板的另一端与相邻一第一导流板一端的另一类型半导体热电元件连接；这样就达到了同一导流片上的半导体热电元件为个并联布置，整片半导体制冷芯片组件还是串联布置的效果，即使其中的部分半导体热电元件出现问题，半导体制冷芯片组件还能正常工作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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