高压切换电路

发明专利无效专利

申请号：
CN201180018838.8
IPC分类号：H03K17/04;G11C16/06;H03K17/687
申请日期：
2011-03-03
申请人：
新思科技有限公司

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著录项信息

专利名称	高压切换电路
申请号	CN201180018838.8	申请日期	2011-03-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-23	公开/公告号	CN102893523A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/04 提高开关速度的改进〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;0;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	新思科技有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	新思科技有限公司	当前权利人	新思科技有限公司
发明人	王衍易;郑肇欣
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;吴孟秋

摘要

一种用于在电路的输出端子处生成高压切换的电路的示例，包括预设模式下响应输入信号以生成第一电压信号的一对n型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管。电路还包括耦接在输出端子和该对NMOS晶体管之间以使第一电压信号可以传播至输出端子的预定数量的n型共源共栅级。进一步，电路包括耦接至输出端子以使第一电压信号可以传播至电路的输入电压供应的预定数量的p型共源共栅级。进一步地，电路包括耦接至输入电压供应的第一对交叉耦接的p型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管。电路包括耦接在第一对交叉耦接的PMOS晶体管和p型共源共栅级之间的一对PMOS晶体管。

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