加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310257933.4
  • IPC分类号:H01L33/06
  • 申请日期:
    2013-06-26
  • 申请人:
    南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
著录项信息
专利名称一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构
申请号CN201310257933.4申请日期2013-06-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-12-31公开/公告号CN104253182A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司申请人地址
江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南通同方半导体有限公司,同方股份有限公司当前权利人南通同方半导体有限公司,同方股份有限公司
发明人田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种具有非对称垒层的蓝光LED外延结构,涉及发光二极管外延技术领域。本发明结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层,有源区包括阱层和垒层,所述有源区的生长周期数为3m个周期,有源区包括三个部分,每个部分生长m个周期,垒层由AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yN层和InzGa1‑zN层组成,其中,1≤m≤5。同现有技术相比,本发明能减缓溢流现象和降低能带的弯曲,提高内量子效率,从而有效提高出光效率。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供