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薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910831371.7
  • IPC分类号:H01L21/34;H01L29/786
  • 申请日期:
    2019-09-04
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管
申请号CN201910831371.7申请日期2019-09-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-12-31公开/公告号CN110634748A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/34IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TCL华星光电技术有限公司当前权利人TCL华星光电技术有限公司
发明人李展
代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)代理人黄威
摘要
在本申请所提供的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管中,通过在基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、导电沟道图案,在所述栅极绝缘层以及所述导电沟道图案上沉积负性光阻层,并通过曝光显影工艺形成负性光阻图案,在所述栅极绝缘层、所述导电沟道图案以及所述负性光阻图案上依次沉积金属氧化物层、金属层以及正性光阻层,并通过曝光显影工艺形成正性光阻图案,通过刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀,以形成金属图案,采用光阻剥离工艺去除所述正性光阻图案以及所述负性光阻图案,以形成金属氧化物图案的制备方法,从而可以在采用透明导电薄膜作为扩散阻挡层材料的前提下不会产生底部裂纹和对铟镓锌氧化物背沟道层造成损伤等问题。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供