加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜图形的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510358852.2
  • IPC分类号:C03C17/22;C03C17/23
  • 申请日期:
    2015-06-25
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称一种纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜图形的制备方法
申请号CN201510358852.2申请日期2015-06-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-12-16公开/公告号CN105152545A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C17/22IPC分类号C;0;3;C;1;7;/;2;2;;;C;0;3;C;1;7;/;2;3查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人任洋;赵高扬;王秋红;李颖
代理机构西安弘理专利事务所代理人李娜
摘要
本发明公开了一种纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜图形的制备方法,具体过程为:制备感光性FTO掺杂的氧化钨溶胶;将溶胶涂覆到FTO导电玻璃基板上,制备出具有紫外感光特性的FTO掺杂的氧化钨凝胶薄膜;随后对凝胶薄膜进行曝光、显影处理,得到具有图形的FTO掺杂的氧化钨凝胶薄膜;最后将有图形的凝胶薄膜放入气氛炉中进行热处理,得纳米晶掺杂的氧化钨薄膜图形。本发明制备工艺过程简便,不需要特殊的真空环境和反应室,可以制作大面积的FTO纳米晶掺杂的氧化钨薄膜图形;制备过程中无需添加抗蚀剂和腐蚀性介质,对基板无伤;制备出具有可见‑近红外双频调制的电致变色薄膜,相比于普通非晶氧化钨薄膜,具有更好的电致变色性能。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供