一种新型真空镀膜机

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200520017267.8
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/22
申请日期：
2005-04-27
申请人：
北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳

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著录项信息

专利名称	一种新型真空镀膜机
申请号	CN200520017267.8	申请日期	2005-04-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;2;2查看分类表>
申请人	北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳	申请人地址	北京市丰台区科学城邮局4分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京实力源科技开发有限责任公司,刘阳	当前权利人	北京实力源科技开发有限责任公司,刘阳
发明人	刘阳
代理机构	北京中誉威圣知识产权代理有限公司	代理人	丛芳;廖立全

摘要

本实用新型提供一种新型真空镀膜机，包括有磁控溅射靶的反应磁控溅射镀膜机，还包括放置在反应磁控溅射镀膜机中的一只或多只定向发射的细长形电弧离子源。电弧离子源的布置位置与工件拉开较远距离，其蒸发面距工件旋转区域最近处大于100毫米，将电弧液滴减少和减小。电弧离子源蒸发方向指向抽气口一侧的镀膜腔半周，并用挡板或孔隙适当的栅网，围成半封闭的局部空间，从而以低成本将电弧液滴减少和减小，以便在工业上获得优质薄膜。这种镀膜机的突出特点是离化率高、防止靶材中毒、沉积速率高，所成薄膜具有结合力强、组织结构致密、表面光洁等特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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