一种纳米相分离烧结制备钨材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810175686.6
IPC分类号：C22C27/04;C22C1/05;C22C1/10;B22F3/10;B22F3/15
申请日期：
2018-03-02
申请人：
北京科技大学

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专利名称	一种纳米相分离烧结制备钨材料的方法
申请号	CN201810175686.6	申请日期	2018-03-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-27	公开/公告号	CN108330371A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C27/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C27/00 铼或未包括在C22C 14/00或C22C 16/00组中的难熔金属基合金〔2〕 C22C27/04 钨或钼基合金〔2〕	IPC分类号	C;2;2;C;2;7;/;0;4;;;C;2;2;C;1;/;0;5;;;C;2;2;C;1;/;1;0;;;B;2;2;F;3;/;1;0;;;B;2;2;F;3;/;1;5查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	章林;曲选辉;路新;龙莹;李星宇;王光华;张鹏;王道宽
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波

摘要

一种纳米相分离烧结制备钨材料的方法，通过高能球磨制备出具有纳米晶晶粒结构和过饱和固溶体特征的机械合金化粉末，然后采用无压烧结和无包套热等静压工艺致密化，得到钨基复合材料。在烧结过程中纳米晶粒过饱和固溶体粉末发生相分离，纳米析出相优先在纳米晶颈部和粉末颗粒表面析出，形成快速迁移通道，促进烧结致密化，降低烧结温度。随着烧结温度的升高，纳米析出相向钨基体中扩散，留下晶界元素富集区。综合利用晶界元素偏聚区和二次相能够更有效的抑制晶粒长大。本发明烧结过程为固相烧结，烧结温度低，避免第二相在高温烧结过程中明显长大，适合制备大尺寸细晶钨基材料，制备出的钨基材料接近全致密、组织结构均匀、综合力学性能优异。

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