以聚合物沉积控制光阻移除处理的关键尺寸的微负载方法

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专利名称	以聚合物沉积控制光阻移除处理的关键尺寸的微负载方法
申请号	CN200410078015.6	申请日期	2004-09-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-08	公开/公告号	CN1624865
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	应用材料有限公司	申请人地址	美国加州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料有限公司	当前权利人	应用材料有限公司
发明人	刘炜;梅世礼
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

本发明是有关于在一处理系统中在一半导体基底上用于移除光阻特征的一方法。该方法利用一处理气体混合物，包括一碳氢化合物气体、一氧气(O2)与一惰性气体。因此，密集与疏松区域的关键尺寸(CD)的微负载可以被消除，并且光阻移除速率也可以被降低，以获得较好的关键尺寸控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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