减少硅衬底与外延Si或Si1-xGex层之间硼浓度的方法

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专利名称	减少硅衬底与外延Si或Si1-xGex层之间硼浓度的方法
申请号	CN97119898.5	申请日期	1997-12-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-06-16	公开/公告号	CN1219755
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩益禧电子股份有限公司	当前权利人	恩益禧电子股份有限公司
发明人	铃木达也;青山亨
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	傅康;萧掬昌

摘要

为了减少硅衬底与在CVD(化学汽相淀积)装置中外延生长的Si或Si1-xGex层之间的硼浓度，在装入CVD设备之前，预处理衬底，以防止衬底受净化间内的硼的沾污。而且，根据一个实施例，在衬底装入生长室之前，用F2气体在预定的衬底温度下清洁CVD生长室本身，由此去除残留在生长室中的硼。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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