一种波长可调的AlGaAs光电阴极

发明专利有效专利

申请号：
CN201910098554.2
IPC分类号：H01J1/34;H01J9/12
申请日期：
2019-01-31
申请人：
南京工程学院

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著录项信息

专利名称	一种波长可调的AlGaAs光电阴极
申请号	CN201910098554.2	申请日期	2019-01-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-23	公开/公告号	CN109671600A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/34 光电发射阴极（H01J 1/35优先）	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;4;;;H;0;1;J;9;/;1;2查看分类表>
申请人	南京工程学院	申请人地址	江苏省南京市江宁区科技园弘景大道1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京工程学院	当前权利人	南京工程学院
发明人	赵静;郭婧;冯琤;张健
代理机构	南京钟山专利代理有限公司	代理人	戴朝荣

摘要

本发明是一种波长可调的AlGaAs光电阴极，包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口、Si3N4增透层、缓冲层和若干片发射层，所述的若干片发射层由下至上直径依次减小，每层发射层的上表面覆盖有激活层，每层激活层表面均覆盖有可拆卸的遮光帽；其中缓冲层采用AlxGa1‑xAs均匀掺杂缓冲层；若干片发射层采用不同Al组分的Alx’Ga1‑x’As发射层，若干片发射层中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层均采用均匀掺杂方式，各片发射层中的掺杂浓度由下至上依次减小；激活层采用Cs/O激活层；该种光电阴极配合合适数量和位置的遮光帽，根据使用场景的不同能够实现波长可调的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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