动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底

发明专利有效专利

申请号：
CN201310213327.2
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/02
申请日期：
2013-05-31
申请人：
英利集团有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底
申请号	CN201310213327.2	申请日期	2013-05-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-08-21	公开/公告号	CN103255386A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2查看分类表>
申请人	英利集团有限公司	申请人地址	河北省保定市朝阳北大街3399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英利集团有限公司	当前权利人	英利集团有限公司
发明人	陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	吴贵明;张永明

摘要

本发明提供了一种动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底。该动态沉积磁控溅射镀膜装置包括第一腔室、传输组件以及镀膜组件，其中，传输组件设置在第一腔室内部以传输衬底；镀膜组件包括设置在第一腔室内并对衬底的表层沉积以形成保护层的第一靶材和对具有保护层的衬底镀膜的第二靶材。根据本发明的动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底，不用考虑高功率激发的高能量靶材等离子体轰击衬底而对衬底造成损伤，进而提高了对衬底镀膜的速度，保证了衬底结构完整的同时还提高了生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供