薄膜型扬声器阵列

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120142425.8
IPC分类号：H04R19/02
申请日期：
2011-05-06
申请人：
深圳市豪恩声学股份有限公司

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著录项信息

专利名称	薄膜型扬声器阵列
申请号	CN201120142425.8	申请日期	2011-05-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R19/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R19/00 静电传感器 H04R19/02 扬声器（H04R 19/01优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;4;R;1;9;/;0;2查看分类表>
申请人	深圳市豪恩声学股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区大浪街道同富裕工业园17栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市豪恩声学股份有限公司	当前权利人	深圳市豪恩声学股份有限公司
发明人	方鹏;朱彪
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	何平

摘要

本实用新型涉及一种薄膜型扬声器阵列，包括压电驻极体薄膜及线路板组件，所述压电驻极体薄膜为多孔聚合物薄膜，所述压电驻极体薄膜两侧分别对应设有电极阵列；所述线路板组件上设有扬声器电路、以及与所述扬声器电路电连接的线路板输入端和线路板输出端，所述线路板输出端与所述压电驻极体薄膜两侧的电极阵列电连接。使用多孔聚合物薄膜制作的薄膜型扬声器阵列结合了扬声器阵列高指向性的优势和聚合物压电驻极体轻、薄、软、结构简单、可靠性强、成本低廉等优势，极大地拓展了扬声器阵列的应用，使之成为剧院、会场、教室、博物馆、体育馆等环境下替代传统扬声器阵列的选择之一。

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